第三代半導(dǎo)體材料是以碳化硅、氮化鎵為代表的寬禁帶半導(dǎo)體材料，有許多不可替代的優(yōu)異性質(zhì)，應(yīng)用領(lǐng)域廣泛，是國家重大需求和國際高科技產(chǎn)業(yè)競爭的關(guān)鍵領(lǐng)域之一，正處于產(chǎn)業(yè)化的關(guān)鍵窗口期。

以碳化硅為襯底制成的功率器件相比硅基功率器件，具有耐高壓、耐高溫、能量損耗低、功率密度高等優(yōu)勢，可實現(xiàn)功率模塊小型化、輕量化。主要應(yīng)用于新能源汽車/充電樁、光伏發(fā)電、智能電網(wǎng)、軌道交通、航空航天等領(lǐng)域。氮化鎵作為寬禁帶半導(dǎo)體的“門面”之一，隨著技術(shù)的不斷升級，性能被進一步開發(fā)，開始強勢“破圈”，不再局限于快充等消費電子市場，而是向新能源汽車、數(shù)據(jù)中心、可再生能源等高速發(fā)展的熱門領(lǐng)域持續(xù)推進。數(shù)據(jù)顯示，2022年全球氮化鎵功率器件市場規(guī)模為1.8億美元，到2026年將有望達13.3億美元，年均復(fù)合增長率達65%。

第三代半導(dǎo)體寫入“十四五”規(guī)劃后，市場上對該半導(dǎo)體的需求和要求越來越高，市場規(guī)模將持續(xù)穩(wěn)定升高，行業(yè)也將在市場的催化下迭代升級，產(chǎn)品性能功能也將不斷完善。未來，在市場規(guī)模趨勢方面，我國第三代半導(dǎo)體行業(yè)將持續(xù)保持高速增長;在細分產(chǎn)品發(fā)展趨勢方面，SiC需求將會增長，GaN應(yīng)用場景將進一步拓展;在技術(shù)發(fā)展趨勢方面，大尺寸Si基GaN外延等問題將會有所進展。

半導(dǎo)體在線分別于2022年8月、2023年3月在蘇州組織了第一屆和第二屆第三代半導(dǎo)體會議，與會人員累計超過1500人，并得到了與會者的一致好評。為了促進第三代半導(dǎo)體材料領(lǐng)域的相互交流與合作，半導(dǎo)體在線將于2024年3月28日-29日（27日簽到）在蘇州組織召開2024年第三屆第三代半導(dǎo)體材料技術(shù)與市場研討會，旨在提供協(xié)同創(chuàng)新的高質(zhì)量交流平臺，推動國內(nèi)第三代半導(dǎo)體材料的學(xué)術(shù)研究、技術(shù)進步和產(chǎn)業(yè)發(fā)展。